L（Y）SO硅酸（釔）镥晶體

更新日期：2024-05-14

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廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

生產(chǎn)地址：

簡要描述：

L（Y）SO硅酸（釔）镥晶體
L（Y）SO晶體特征
●高能量分辨率
●快衰減時間
●高光產(chǎn)額
●高光輸出

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產(chǎn)品介紹

L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體

日本進(jìn)口boya－L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體

L(Y)SO

L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體具有高密度、高光產(chǎn)額、快衰減時間、高能量分辨率等優(yōu)良特性。利用該晶體制成的γ射線探測器在核醫(yī)學(xué)成像、高能物理、核物理等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景，是新一代正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層掃描儀(Positron Emission Tomography，簡稱PET)中的核心探測部件。

L(Y)SO晶體特征
●高能量分辨率
●快衰減時間
●高光產(chǎn)額
●高光輸出

基本參數(shù)

項(xiàng)目	參數(shù)
密度（g / cm3）	7.2
熔點(diǎn)（℃）	2050
硬度（莫氏）	5.8
折射率	1.82
衰減時間（ns）	＜42
光產(chǎn)額（Photon/Mev）	≥32000
抗輻射強(qiáng)度（rad）	＞106
吸濕性	否
能量分辨率	8-10%
峰值發(fā)射（nm）	428
有效原子數(shù)	66
輻照長度（cm）	1.10
LYSO硅酸釔镥晶體陣列主要用于核醫(yī)學(xué)成像設(shè)備PET, PET/CT,PET/MRI,SPECT的探測器模塊。我們可以基于客戶的陣列設(shè)計(jì)圖紙，生產(chǎn)和制造特定的晶體條尺寸及陣列封裝。我司生產(chǎn)制造的LYSO晶體陣列和位置敏感型光電倍增管（PSPMT）和硅光電倍增管（SiPM）能很好的匹配。我司能提供各種設(shè)計(jì)選項(xiàng)和反射層材料來優(yōu)化陣列性能，確保高光輸出，限度的減小串光現(xiàn)象。
L(Y)SO陣列組裝
偏移晶體陣列
Upper layer:	1.78×1.78×8mm³（13×13）
Upper layer:	1.78×1.78×12mm³（14×14）
All surfaces of crystal	polished
Reflector:	3M ESR film 0.065mm
雙面輸出陣列
13×13 Arrays
Pixel Size:	0.497×0.497×20mm³
Reflector:	BaSO4
LYSO 8×8 晶體陣列
Crystal elements:	4×4×20mm³
Reflector type:	BaSO4 powders loaded with optical glued.

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