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      日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D

      日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D

      更新日期:2024-05-15

      訪問量:1291

      廠商性質:經銷商

      生產地址:

      簡要描述:
      日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D
      適用于 D、F、G、J、K 級、芯片、melph、徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機

      日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D

      適用于 D、F、G、J、K 級、芯片、melph、徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機

      • 由于模數隔離提高了抗噪性,因此穩定性高

      • 兼容極小的芯片(低功耗測量)

      • 超高速 0.7msec.(代表值)

      • 通過熱電動勢抵消測量實現高精度和高穩定性

      • 通過各量程的測量值積分時間設置功能實現超高速和高穩定性測量

      • % 測量:± 99.99% [5mΩ-109MΩ]

      • 測量:0.00mΩ~200.00MΩ

      • 接觸檢查:可選擇測量前/測量后/OFF

      • RS-232C接口標準設備(GP-IB可選)

      • 打印機輸出標準設備(基于Centronics)

      • 設定值傳送功能標準設備:(相同的設定數據可傳送至另一臺AE-162D并自動設定)

      • 測量電流/測量電壓異常檢查電路標準設備

      測量范圍和基本精度(環境溫度23°C±5°C),校準后180天[校準后1年:1.5次]
      測量范圍標準值設定范圍測量電流測量精度*
      減緩快速地
      100mΩ5mΩ-100mΩ100mA± 0.02% ± 2a ± 2d± 0.03% ± 3a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
      100.1mΩ~1Ω100mA±0.02%±a±1d以內± 0.02% ± a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
      10Ω1.001Ω~10Ω50mA
      100Ω10.01Ω-100Ω10mA±0.02%±1d以內± 0.02% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
      1kΩ100.1Ω~1kΩ5mA
      10kΩ1.001kΩ~10kΩ0.5mA
      100kΩ10.01kΩ-100kΩ50μA
      1兆歐100.1kΩ~1MΩ5μA± 0.05% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
      10兆歐1.001MΩ ~ 10MΩ0.5μA±0.03%±1d以內± 0.2% ± 4d ± [1 / (1 + n)] d
      100MΩ10.01MΩ ~ 109MΩ0.05μA±0.1%±2d以內────
      * D = 位數,n = 積分時間(毫秒),% 測量值:α = (100 / 標準設定值 mΩ) x 0.01%,值測量值:α = 0(添加 ± 1d)

      * 屏蔽狀態下的*精度

      日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D

      測量時間外部啟動自由奔跑
      減緩快速地減緩快速地
      大約 18 毫秒-400 毫秒。大約 0.7 毫秒-400 毫秒。約30次/秒~
      約2次/秒
      約60次/秒~
      約2次/秒
      測量端子開路電壓15V以下
      測量結束信號(EOC)脈寬1 至 250 毫秒,可連續設定
      測量方法4端測量/2端測量可切換
      判斷值設定范圍%測量:±99.99%,值測量:00000-20000
      周邊環境溫度:0℃~+50℃,濕度:80%以下
      需要電源AC85V~265V,50Hz~60Hz,約50VA
      外形尺寸333 (w) x 99 (H) x 300 (D) mm(不包括橡膠腳墊等突出部分)
      重量約3.5kg
      選項? GP-IB
      ? 數據傳輸線
      ? 短接(零歐姆標準電阻)
      ? 轉換適配器(3P x 2?5P)

      * 規格如有改進,恕不另行通知。



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